Ташкулов Куштарбек Добурбекович. Фото и термостимулированные ионные процессы распада радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.

Рубрики: Физика

описание:

Актуальность темы. Радиационная физика щелочно-галоидныхкристаллов (ЩГК) в настоящее время охватывает большое число экспериментальных и теоретических исследований. Это связано с важной ролью изучения физики ЩГК на пути создания материалов с заданными свойствами и теории твердого состояния.
Создание новых синтетических материалов для нужд электронной промышленности с применением достижений нано- и радиационной технологии является одним из важных и перспективных направлений развития современной науки и технологии.
ЩГК широко применяются в технике в качестве оптических материалов с широкой области, прозрачности, активных и пассивных сред для перестраиваемых лазеров на центров окраски, оптически запоминающих сред, материалов для сцинтилляторов, дозиметров и другие.
Практически важные свойства твердотельных синтетических материалов определяются в основном присутствующими в них различными дефектами атомарных и нано размеров. Установление способов создания и методов управления типом и количеством точечных дефектов в твердых телах позволяет разработать современные технологии промышленного изготовления деталей и материалов. Поэтому исследование физических свойств различных собственных и примесных дефектов, индуцированных ионизирующим излучением в ионных кристаллах, установление их структуры и моделей, механизмов их создания, преобразования и разрушения важны как для теории, так и остаются актуальными для их практического применения. Современное состояние развития нано- и радиационной технологии, применение их достижений при создании точечных дефектов различной природы в твердых телах и исследование их свойств позволяет надеяться на успешное решение некоторых проблем материаловедения.
Исследования радиационных характеристик и свойств ЩГК позволяют выяснить способы создания и применения материалов с повышенной радиационной стойкостью или, наоборот, с повышенной радиационной чувствительностью для дозиметрии различных видов частиц и квантов, способы использования радиационных дефектов в ячейках памяти, использования ЩГК для создания оптических квантовых генераторов и др.
Изучению оптических, электрических и др. свойств ЩГК посвящено достаточно большое количество выполненных работ. Однако имеется еще немало вопросов, требующих своего разрешения в первую очередь. К ним и относится проблема выяснения механизмов распада и взаимопревращения этих дефектов при фото- и термостимуляции, являющейся наиболее сложной задачей.
Для выяснения этого вопроса, наряду с другими важными полученными методами исследования, важное значение имеют результаты, полученные при изучении кинетики термического распада этих центров.
Несмотря на немалое число исследований, многие вопросы, связанные с микромеханизмом и кинетикой термического и фототермического отжига радиационных центров окраски, выяснены еще далеко не достаточно.
До некоторого времени представления о механизме термического и фототермического разрушения центров окраски в ЩГК сводились к прямой термической ионизации центров на основе представлений зонной теории.
Вместе с тем механизм прямой термической ионизации, опирающийся на зонные представления, встретил ряд трудностей в объяснениях явлений термического разрушения центров окраски в ЩГК.
Известно, что ЩГК среди широкого класса твердых тел обладают рядом оригинальных свойств. Например, энергия низкоэнергетических возбуждений (электронно-дырочные пары, экситоны и т.п.) в них сравнима с энергией связи ионов в нормальных узлах. Это обстоятельство является существенным для понимания фотостимулированных и термостимулированных процессов в ЩГК.
Учет этих обстоятельств и соответствующих экспериментальных фактов привел ряд авторов к допущению протекания ионного механизма активации термического разрушения электронных центров окраски. В работах ошских физиков выяснены многие особенности ионного механизма термического распада центров окраски в ЩГК.
При установлении механизмов ионно-дырочных и ионно-электронных процессов существенную роль играет изучение механизмов создания, распада и взаимопревращения радиационных дефектов. В частности, в ЩГК при температурах выше комнатной образуются более сложные по структуре радиационные дефекты, которые определяют многие свойства твердых тел, имеющие важное прикладное значение.

Поделиться

Написать комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *