Ташкулов Куштарбек Добурбекович. Фото и термостимулированные ионные процессы распада радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.

Этот текст доступен на русском языке For the sake of viewer convenience, the content is shown below in the alternative language. You may click the link to switch the active language.

Рубрики: Физика

описание:

Актуальность темы. Радиационная физика щелочно-галоидныхкристаллов (ЩГК) в настоящее время охватывает большое число экспериментальных и теоретических исследований. Это связано с важной ролью изучения физики ЩГК на пути создания материалов с заданными свойствами и теории твердого состояния.
Создание новых синтетических материалов для нужд электронной промышленности с применением достижений нано- и радиационной технологии является одним из важных и перспективных направлений развития современной науки и технологии.
ЩГК широко применяются в технике в качестве оптических материалов с широкой области, прозрачности, активных и пассивных сред для перестраиваемых лазеров на центров окраски, оптически запоминающих сред, материалов для сцинтилляторов, дозиметров и другие.
Практически важные свойства твердотельных синтетических материалов определяются в основном присутствующими в них различными дефектами атомарных и нано размеров. Установление способов создания и методов управления типом и количеством точечных дефектов в твердых телах позволяет разработать современные технологии промышленного изготовления деталей и материалов. Поэтому исследование физических свойств различных собственных и примесных дефектов, индуцированных ионизирующим излучением в ионных кристаллах, установление их структуры и моделей, механизмов их создания, преобразования и разрушения важны как для теории, так и остаются актуальными для их практического применения. Современное состояние развития нано- и радиационной технологии, применение их достижений при создании точечных дефектов различной природы в твердых телах и исследование их свойств позволяет надеяться на успешное решение некоторых проблем материаловедения.
Исследования радиационных характеристик и свойств ЩГК позволяют выяснить способы создания и применения материалов с повышенной радиационной стойкостью или, наоборот, с повышенной радиационной чувствительностью для дозиметрии различных видов частиц и квантов, способы использования радиационных дефектов в ячейках памяти, использования ЩГК для создания оптических квантовых генераторов и др.
Изучению оптических, электрических и др. свойств ЩГК посвящено достаточно большое количество выполненных работ. Однако имеется еще немало вопросов, требующих своего разрешения в первую очередь. К ним и относится проблема выяснения механизмов распада и взаимопревращения этих дефектов при фото- и термостимуляции, являющейся наиболее сложной задачей.
Для выяснения этого вопроса, наряду с другими важными полученными методами исследования, важное значение имеют результаты, полученные при изучении кинетики термического распада этих центров.
Несмотря на немалое число исследований, многие вопросы, связанные с микромеханизмом и кинетикой термического и фототермического отжига радиационных центров окраски, выяснены еще далеко не достаточно.
До некоторого времени представления о механизме термического и фототермического разрушения центров окраски в ЩГК сводились к прямой термической ионизации центров на основе представлений зонной теории.
Вместе с тем механизм прямой термической ионизации, опирающийся на зонные представления, встретил ряд трудностей в объяснениях явлений термического разрушения центров окраски в ЩГК.
Известно, что ЩГК среди широкого класса твердых тел обладают рядом оригинальных свойств. Например, энергия низкоэнергетических возбуждений (электронно-дырочные пары, экситоны и т.п.) в них сравнима с энергией связи ионов в нормальных узлах. Это обстоятельство является существенным для понимания фотостимулированных и термостимулированных процессов в ЩГК.
Учет этих обстоятельств и соответствующих экспериментальных фактов привел ряд авторов к допущению протекания ионного механизма активации термического разрушения электронных центров окраски. В работах ошских физиков выяснены многие особенности ионного механизма термического распада центров окраски в ЩГК.
При установлении механизмов ионно-дырочных и ионно-электронных процессов существенную роль играет изучение механизмов создания, распада и взаимопревращения радиационных дефектов. В частности, в ЩГК при температурах выше комнатной образуются более сложные по структуре радиационные дефекты, которые определяют многие свойства твердых тел, имеющие важное прикладное значение.

Бөлүшүү

Комментарий калтыруу

Сиздин email көрсөтүлбөйт. Милдеттүү талаа *